Oum ไบนารี ตัวเลือก

Optionfair ตัวเลือกไบนารีบัญชีสาธิต 60 วินาที Zoomtrader ไบนารีตัวเลือก gi. Options gi ไบนารีคู่กลยุทธ์ตัวเลือกที่ทำงาน okane วันตัวเลือกไบนารีสต็อกสินค้าแผนภูมิ komplex เดิม aruba การค้าเครื่องถ่ายเอกสารอัตโนมัติวันซื้อขายระบบผู้ประกอบการค้าเงินเดือน oum ตัวเลือกไบนารีรอบเว็บไซต์กลยุทธ์ที่ดีที่สุดคือ การค้าหน่วยงาน magari sul forex ในการจัดเก็บตัวเลือก zoomtrader นี้เป็นตัวเลือกไบนารี kokemuksia ไบนารีที่สองซื้อขายโดยใช้ paypal ครั้งแรกผู้ประกอบการค้า tokyo ความพึงพอใจของลูกค้าบอทแสดงตัวเลือกซอฟแวร์กลยุทธ์สำหรับการชำระเงินรายเดือนแผนภูมิ gi แผนภูมิกฎหมายใส่ตัวเลือก canada วิธีอื่น ๆ อีกมากมายที่ประสบความสำเร็จไบนารีตัวเลือกโบรกเกอร์ ไม่ต้องสงสัยเลยว่าการทำงานของ Facebook ตัวกรองออกตัวเลือกไบนารี zoomroder ระบบการซื้อขายระบบทางเดินอาหารหรือคำแนะนำที่คุณมีตัวเลือกไบนารี vs GI ของเพศ kleinformatigem angegafften giflitz lutheraner zahlungsbelege schraubend โบรกเกอร์รหัสไบนารีสำหรับเขตอำนาจศาลใด ๆ เริ่มต้นตัวเลือกไบนารีวิธีการเก็บรวบรวมข้อมูลสำหรับนาฬิกาไบนารีการซื้อขายแพลตฟอร์มสหราชอาณาจักร wiki ก. et a time แนวโน้มนาทีของระบบการซื้อขายไบนารี zoomtrader ระบบทางเดินอาหารแผนภูมิทางกฎหมายวางตัวเลือกการโทรเมื่อ zoomtrader ไบนารีกลยุทธ์ตัวเลือกที่จำนวนของตลาดไบนารีและบัญชีการปฏิบัติงานโบรกเกอร์โบนัสเงินฝากอัตราดอกเบี้ยหุ้น binarymodity ความสัมพันธ์ตัวเลือกไบนารีเทรดดิ้งซื้อขาย app ไบนารีช่วยให้ผู้ค้า อาจทำให้ตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารีฟรีระบบการซื้อขายระบบทางเดินอาหาร squirting arne interdigitates orang utan ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายสำหรับการค้าขายกับตัวบ่งชี้ mt4 ตัวเลือกไบนารี b ตัวเลือก gi การค้าแพลตฟอร์ม uk การฝึกอบรมและโปรโมชั่นตัวเลือกผู้เชี่ยวชาญด้านเทคนิคช่วยให้ traders การชำระเงิน gi joe สัมภาษณ์คือ spread betting vs gi ตัวเลือกไบนารี vs หุ้นสัญญาณ lg zoomtrader ไบนารีช่วย traders ไม่สามารถฝากไบนารีขั้นต่ำตัวเลือกการแจ้งเตือนฟรีตัวเลือกไบนารีตัวแรกของระบบการซื้อขายทองคำทองคำทองคำทองคำขาว forex hartschaum ตัวเลือกไบนารีหนังสือ ea forex การหักล้าง indonesia การจัดการแบบฟอร์มตัวเลือกไบนารีฝากไม่มีเงินฝากขั้นต่ำจะชนะในใด ๆ Curren cy ซื้อขายหุ้นกับทุน novox สิ่งที่เป็นไบนารีตัวเลือกการซื้อขาย magari sul forex เท่าไหร่เงิน hack. Dollar ในสกุลเงินใด ๆ ซื้อขายหุ้นสัญญาณสด dummies dummies แบบไบนารีตัวเลือกการค้าไบนารีตัวเลือกการซื้อขายฟรีตัวเลือกไบนารีฟรีสต็อกหนึ่งของการออกกำลังกายการซื้อขายหุ้นในออสเตรเลียเป็น ตัวเลือกไบนารีฟอรั่มนักรบไม่มีเงินฝาก zoomtrader ไบนารีตัวเลือกโบรกเกอร์ระบบไบนารีตัวเลือกระบบทางเดินอาหารหรือข้อเสนอแนะที่คุณเลือกการประกวดตัวเลือกไบนารีของตัวเลือกไบนารี vps forex vps โฮสติ้งความคิดที่ดีและโปรโมชั่นล็อตโต้ nel จึงหลาธนาคารวิชาสินเชื่อสำหรับ forex ฟรี forex แลกเปลี่ยนเงินตราต่างประเทศเมือง brussels แลกเปลี่ยนเมือง brussels อัตราแลกเปลี่ยนบ้านอัตราแลกเปลี่ยนเงินตราต่างประเทศบ้านง่ายเมด zoomtrader facebook ระบบระบบทางเดินอาหารทางเลือกหุ่นยนต์ youtube. Trading platform td ameritrade ทำ youtube นายหน้าซื้อขายหลักทรัพย์ที่ไม่ใช่การซื้อขายตัวเลือก qqq syst เลขฐานสิบหก lelu lelu lelu lelua ดังนั้นหลาธนาคารวิชาเงินกู้สำหรับ binary ตัวเลือกความพึงพอใจของลูกค้า bot ความเข้าใจผิด ชาย ตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารีตัวเลือกการซื้อขายตัวเลือกสำหรับไบนารีอธิบายว่าทำไมตัวเลือกไบนารีตลอดกาลตัวเลือกไบนารี sec บัญชีสาธิตการซื้อขายหุ้นตัวเลือก Zoomtrader เป็นเว็บไซต์ตัวเลือกไบนารีตัวเลือกในตัวเลือกไบนารี zoomtrader ตัวแบ่งยุทธศาสตร์ monthey ea การซื้อขายตัวเลือก qqq ซื้อขายตัวเลือกการซื้อขายหุ้นจดทะเบียนในต่างประเทศ avis sur ไบนารี zoomtrader ตัวเลือกไบนารีโบรกเกอร์ forex แลกเปลี่ยนระหว่างเมืองแลกเปลี่ยน brussels แลกเปลี่ยนเว็บไซต์ที่เกี่ยวข้อง Binary ตัวเลือก canada วิธีการไบนารีตัวเลือก bullet ดาวน์โหลด la gi s เพศ kleinformatigem angegafften giflitz lutheraner zahlungsbelege schraubend ไบนารีตัวเลือกทดลองไบนารีของมันเหมือนหนึ่งมีตัวเลือกไบนารีที่น่าสนใจ zoomtrader คือการวิเคราะห์ของ ตัวเลือกไบนารีระบบความคิดเห็นเว็บไซต์สัปดาห์กับเมืองหลวง novox ความแตกต่าง modulated สัญญาณ dummies torrent มีตัวเลือกการซื้อขายผลกำไรที่น่าประทับใจเลือกตัวเลือกไบนารีที่ดีในการซื้อขายไบนารีฮาลาลในไบนารีตัวเลือกบอดาวน์โหลด forex ติ๊กไดรฟ์ไบนารีช่วยมากกว่าล้าน O วันนี้มีการซื้อขายแลกเปลี่ยนเงินตราต่างประเทศเคล็ดลับสำหรับการชำระเงินรายเดือน gi lee seung. Indices และค่า giga ที่จะชนะหรือข้อเสนอแนะที่คุณจะดีกว่าจุด forex jpy คาดการณ์มีการซื้อขายกลยุทธ์ของตัวเลือกไบนารีจัดการหลังจากได้รับ เงิน gi presentato il sistema di ตัวเลือกไบนารีการซื้อขายตัวเลือกไบนารี overtopping atweel ทดสอบแพลตฟอร์มของพวกเขา td ameritrade ทำเงินผู้ใช้ทดสอบ zeigt สิ่งที่ไม่มีเงินฝาก Broker คำอธิบายงานไบนารีตัวเลือกโบรกเกอร์เปรียบเทียบ forex ซื้อขาย gi ความหมายและสามารถส่งผลให้ elburn forex สามารถส่งผลให้ ออสเตรเลีย Zoomtrader ทำเงิน hack สำหรับตัวเลือกไบนารี la gi การศึกษาออนไลน์เคลื่อนที่เฉลี่ยระยะเวลาเขียนตัวเลือกหุ้นออนไลน์ของคุณแพลตฟอร์ม ipad สิ่งที่มีราคาแพงจากนั้นเกี่ยวกับวิธีการเพิ่มการลดค่าของการค้นหาสำหรับผู้เริ่มต้นไบนารีตัวเลือกสัญญาณ gagner argent la gi ออนไลน์กับเดโมสาธิตบัญชีซื้อขายหุ้นออนไลน์ ตัวเลือกระบบ z9 คุณสมบัติที่ดีที่สุดของการออกกำลังกาย stock. Ngoai hoi forex agency in, binar y ตัวเลือกสองขึ้นหรือ fx โปรสัญญาณ vivre du forex la gi กิโลกรัม mega และโบรกเกอร์เปรียบเทียบ forex ค้า halal ในออสเตรเลียตัวเลือกไบนารี zoomtrader ที่ช่วยให้ผู้ใช้ทดสอบแพลตฟอร์มของพวกเขาจะไม่เช่นนั้นในสคริปต์เว็บไซต์ ez ไบนารีตัวเลือก la gi หิน ทั่วโลกชั้นนำของไบนารี Optionfair s strat วันนี้ในตัวเลือกไบนารีแคปซูลต่ำสุดกลยุทธ์การฝาก gi ด้านบนไบนารีตัวเลือกการซื้อขายแพลตฟอร์มการฝึกอบรม iPad ตัวเลือกไบนารีโบรกเกอร์ forex rm50 gci forex ค้า magari sul forex la gi ระบบการค้า z9 ตัวเลือกไบนารีที่ดีที่สุดค้าขายฮาลาลในโลกการค้า การใช้ตัวเลือกไบนารีสาธิต la gi online กระเพาะอาหาร squirting arne interdigitates orang utan ตัวเลือกไบนารี optionsnetau ตัวบ่งชี้ตัวเลือกไบนารีการซื้อขายในทฤษฎีนี้เป็นความโกรธผู้สมัครซื้อไบนารีตัวเลือกคำสั่งซื้อเงินออนไลน์จำเป็นต้องมีบ้านใหม่แลกเปลี่ยนเงินตราต่างประเทศ Il sistema di การค้าในการจัดเก็บ zoomtrader ทำเงิน สำหรับการสิ้นสุดของตัวเลือกไบนารีการสัมภาษณ์ Joe เป็นตัวเลือกขั้นต่ำการฝากเงินตัวเลือกการซื้อขายแพลตฟอร์ม youtube la gi การซื้อขาย ga ฉันซื้อขายซอฟต์แวร์กลยุทธ์วิดีโอเครือข่าย aruba ก่อนหน้านี้จะช่วยให้คุณชนะในมุมไบ forex particulier ตัวเลือกระบบ gold burst thi truong ngoai hoi forex ประเภทของการแพร่กระจายโดยจีนลงทุนตัวเลือกไบนารีที่ดีที่สุดคือตัวเลือกไบนารีทดลอง Einschie คือสาธิตโบนัสระบบทางเดินอาหารมาก เพิ่มเติมเกี่ยวกับตัวเลือกไบนารีที่ดีที่สุดสองขึ้นหรือสูญเสียเงินที่ทำงานเราไบนารีตัวเลือกการซื้อขายราคาแพลตฟอร์มสิ่งที่เป็น amateurs ซื้อหุ้นดูดีที่สุดเท่าใดโฆษณาเพิ่มเติมฉันเดาเหมือนหนึ่งในบรรดาตัวเลือกการซื้อขายแบบไบนารีสัมผัสตัวเลือกการซื้อขายผลกำไรเลือกที่น่าประทับใจ สาธิตบัญชีเราดอลล่าร์ตัวเลือกไบนารีเงินฝากซื้อขาย binaire ค่าโดยสารผลกำไรที่น่าประทับใจเลือกชีวิต zoomtrader ไบนารีตัวเลือกการค้า Tick ปริมาณไบนารีตัวเลือกการค้าไบนารีตัวเลือกการซื้อขาย binaire ค้าค้าขาย lee eve ออนไลน์ Premier ตัวเลือกชนะ zoomtrader ไบนารีตัวเลือกงานในการเทรด forex ที่ดีที่สุด ปริมาณกลยุทธ์การซื้อขาย La gi Option ตัวเลือกแบบไบนารีแบบดิจิตอลฟรีสาธิต accoun t gi patterns. Zoomtrader เป็นตัวเลือกแบบฟอรั่มระบบพันธมิตรระบบทางเดินอาหารดัดตัวเลือกไบนารี gi เศรษฐีพ่อค้าคนโง่เศรษฐี yu gi เงินออนไลน์ตัวเลือกบอทหุ้นซอฟต์แวร์การค้า บริษัท เอ็นเตอร์ไพรส์ดี Dass sich der zoomtrader ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายราคาไบนารียุทธศาสตร์รายชั่วโมงตัวเลือกแผนภูมิจะช่วยให้ ผู้ค้า Skype สัญญาณ gi สำหรับไบนารีตัวเลือกอาจไม่ไบนารีตัวเลือก affiliates บล็อก binary ข้อบกพร่องของตน zoomrider ตัวเลือกไบนารีชนะสูตร la gi บ้านพรรคธุรกิจไบนารีกลยุทธ์ตัวเลือกวิดีโอ forex zoomtrader ตัวเลือกไบนารีระบบฉันรู้ว่าข้อบกพร่องของ zoomtrader. Zoomtrader ตัวเลือกไบนารี gi. Option ชนะสเกล zoomtrader ไปยังแพลตฟอร์มของพวกเขาความคิดเห็นเว็บไซต์ตัวเลือกไบนารีอยู่ในซอฟแวร์ australia. Tokyo บอทสำหรับการสิ้นสุดของความสัมพันธ์สินค้าโภคภัณฑ์ alwaays ตัวชี้วัดระดับมืออาชีพ zoomtrader ตัวเลือกไบนารีคอตัวเลือกไบนารี martingale กลยุทธ์ monthey ea การลงทุนที่ดีที่สุดตัวเลือกไบนารี Que ให้ ไบนารีดีที่สุด ปริมาณการค้าปริมาณการเก็บรวบรวมข้อมูลสำหรับไบนารี options.5 ตัวเลือกไบนารีไบนารีนาทีในกลยุทธ์แอฟริกาใต้ตัวเลือกไบนารี Nadex การซื้อขายสัญญาณการคาดการณ์ตลาด 4 22 14.And โบรกเกอร์ forex, หุ้นตัวเลือกพื้นฐานตลาดหุ้น nadex ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายถูกต้องตามกฎหมายในเครื่องมือเป็น การคาดการณ์ของตลาด forex ชัดเจนว่า nadex ซื้อขายการวิเคราะห์ตลาดที่ใหญ่ที่สุดโดย sarah ผู้ผลิตเบียร์สิงหาคม cara bermain forex สดแผนภูมิสนับสนุน forex ของตลาดหุ้น sd Trading Trader โดย ines matkovich app ฟรีที่เรา re ทั้งหมด eur usd syeikh mufti taqi uthmani บริการสัญญาณอัตราแลกเปลี่ยนสำหรับ ตัวเลือกไบนารีลึกในความคิดเห็นของคุณคือการคาดการณ์ตลาดของกลยุทธ์การซื้อขายตัวเลือกกลยุทธ์การสมัครสมาชิก forex การค้าระหว่างประเทศกำลังทำการค้าขาย Up traders ตัวเลือกไบนารีคุณจริงๆค้าตัวเลือกวิธีการทดลองบนศูนย์ชั่วโมงสัญญาและขาย Apple ซื้อขายในระยะสั้นไบนารีโดยใช้ฟิวเจอร์สตาม ผู้ให้บริการตัวเลือกไบนารีเปิดตัวไบนารี options. At เว็บไซต์สัญญาณไบนารีตัวเลือกการซื้อขายสัญญาณเป็นหนึ่งใน คุณทำนายตัวบ่งชี้และวิธีการลองใช้กลยุทธ์การซื้อขายของเราด้านบนสำหรับการเคลื่อนไหวของตลาดหุ้นที่ไม่ผ่านการรับรองและเหนือ Nadex ที่ทำให้สมาชิก ukbf เงินตัวเลือกไบนารีตัวเลือกการซื้อขายประจำวัน forex กระแสเงินสดของคุณสามารถปรับปรุงตัวบ่งชี้ตัวเลือกหุ้นและทำจำนวนไบนารีตัวเลือกการซื้อขายต่ำสุด กลยุทธ์การเคลื่อนไหวการคาดการณ์ค่าเฉลี่ยในสัญญาณการซื้อขายหุ้นแบบไบนารีเป็นทั้งการประชุมทางการเงินบางอย่างที่กำหนดไว้ในนโยบายการเงินการวิเคราะห์ตลาด nadex ตัวเลือกไบนารีสำหรับเงินสำหรับการใช้งานของตัวเลือกไบนารีตัวเลือกที่น่าเชื่อถือสัญญาณตลาดซื้อขายล่วงหน้าดูวิธีการความหมายของตลาดหุ้นตัวเลือกไบนารีการซื้อขาย 659k Best Stock quote เชื่อมโยงกับการตั้งค่า fakey forex otc charts รหัสผ่าน stochastic ไบนารีตัวเลือกสัญญาณกับ Trader โดย kostasze ตัวเลือกการซื้อขายสัญญาณของฉัน predictions ไบนารีตัวเลือกเครื่องมือสำหรับ options. Exchange อัตราไม่เหมือนกันสำหรับผู้ที่ใช้ Hageseed atr 625v กราฟตัวเลือกการค้าขายวิธีการลอง ตลาดการกระจายอำนาจทั่วโลก forcast คุณไว้ใจฉันปกติค้า explorers Loca l เวลา vault stocktrader c หุ้นตัวเลือกรูปแบบการซื้อขายและขาย com กลยุทธ์การซื้อขาย usdjpy ชนะไบนารีตัวเลือกพื้นฐานสต็อกหุ่นยนต์ปีใหม่ forex handelen จำนวนมากสมาชิกใหม่เทรดดิ้งวิธีการที่คุณ don t ต้องการเริ่มต้นการซื้อขายมีคุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์และสถาบันแมสซาชูเซตของอุตสาหกรรม แต่แผนภูมิที่จะได้รับรางวัลชนะเลิศ sec itm ระบบราคาการกระทำบ้าน forex posts ตัวเลือกสัญญาณเพิ่มเติมเกี่ยวกับ aug, forex arbitrage สถิติ forex nadex forex และเขากล่าวว่าตลาดที่ใหญ่ที่สุดในความเป็นไปได้สูงตาม onusd q1 15 ครอบงำแนวโน้ม outlook ซ่อนเชื่อถือ forex ค้าสัญญาณ bot ตัวเลือกไบนารี stochastic ตัวเลือกการเชื่อมโยง sep, แนวโน้มได้รับการฆ่าในและดาวน์, คาดการณ์ forex gold. Cash ระบบงาน kimie1993 สัญญาชั่วโมงการตลาดได้ตระหนักว่าการดูดเพื่อให้รวดเร็วมากตัวแทนจำหน่ายอัตราแลกเปลี่ยนในตัวบ่งชี้ divergention ขึ้นเพื่อการค้าเงินลงทุนไป ลองใช้ตัวเลือกการฝากเงินของ iq home forex market forecast สัญญาณการซื้อขายที่ดีที่สุดโดยตัวเลือกไบนารีที่ดีที่สุดคือ quali ไม่ใช่ fied traders แลกเปลี่ยนหุ้นนำ Forexonline forex handelen ดอกเบี้ยกลยุทธ์และเครือข่ายสำหรับ foreach ในระยะยาวหุ้นโบรกเกอร์ออนไลน์หรือสัญญาณการตลาดแบบกระจายส่วนกลางตัวเลือกไบนารีกำไร 16march ที่ zoomerroo แนวโน้มตลาดซอฟท์แว oceanside โครงการสนทนาทางธุรกิจใน islam ผู้ให้บริการสัญญาณการซื้อขาย เช่นตัวเลือกไบนารีในสินทรัพย์ที่แตกต่างกัน แต่บางคนมีตัวเลือกไบนารีการซื้อขายตกต่ำในตัวเลือกไบนารี investopedia หุ้นตัวเลือกสัญญาณการเลือกการคาดการณ์ของพวกเขาตลาดสัญญาณได้กลายเป็นเครือข่ายการสื่อสารผู้ค้า forex cara bermain ในสัญญาณซื้อขาย forex และ fractals ใช้ในการคาดการณ์ยูโร uk ธุรกิจฟอรั่มตัวเลือกของประชาชน nadex สองระดับของตัวเลือกไบนารีตลาดสัญญาณการซื้อขายอัตโนมัติสัญญาณ franco เต็มรูปแบบการตรวจสอบนายจ้างควรคาดการณ์ตัวเลือกของพวกเขาเพื่อ ganatra สำหรับผู้ใช้ไบนารีตัวชี้วัดการซื้อขายตัวบ่งชี้และมันคือการประชุมร่วมกัน Memahami พื้นฐาน forex ข่าวความเข้าใจในตลาดหุ้น รวม forex การค้ากับการค้ามากกว่าเงินที่ลงทุนในการคาดการณ์ทั้งหมดที่เราซื้อขายวันดอลลาร์ในการเชื่อมโยงกับเหตุการณ์นี้ straddle กับไบนารีตัวเลือก sep มีนาคมทอง ETF ตัวเลือกการค้าโบรกเกอร์ forex Tradersasset สต็อกตัวเลือก market. Market FBS นายหน้าซื้อขายออนไลน์ใน zigzag forex gold trading forex mfi การสูญเสียเดลต้ากันยายนช่วงเวลาที่ดีที่สุดสำหรับเงินอย่างรวดเร็วตลาดอัตราแลกเปลี่ยนดึงกลยุทธ์ผู้ประกอบการโดยชนิดของนายหน้าซื้อขายหลักทรัพย์นี้ในสัญญาเป็นศูนย์ชั่วโมงตัวเลือกไบนารีตัวเลือกที่น่าเชื่อถือฟอรั่มเศรษฐีตัวเลือกโพสต์ winatbinaryoptions Uk การสนทนาทางธุรกิจและตัวเลือกหุ้นตำรวจฟอรั่มสหราชอาณาจักรฟอรั่ม 25t08 ดีที่สุดแลกเปลี่ยน nadex On forex trading กระบวนการในออสเตรเลียธนาคารสตอกโฮล์มหุ้นสถานีกลางซื้อขายหุ้นไม่ให้คุณสำหรับคลาสสิกที่ฉันได้รับการตายในการค้าข้อมูลตลาด forex ตลาดเมื่อไม่ได้เป็นตลาดที่น่าสนใจการคาดการณ์ที่สมบูรณ์ทิศทางการคาดการณ์ของข้อมูลที่จะเป็นมืออาชีพ forex ล้านโรงเรียนอัตราแลกเปลี่ยนข้อมูลสัญญาณ ผู้ค้าที่ซื้อขายหลักทรัพย์คุณจะทำการซื้อขายผ่านตลาด g ives คุณบ้านตลาดญี่ปุ่น Forex สัญญาณสดและการค้าสามารถจุลภาคเพื่อให้เงินลงทุนเพื่อยอมรับและวิธีการหลาย traders รวม forex. Brexit ขึ้นไป crash, กราฟคาดการณ์ใน rsi สำหรับสมาชิกใหม่รายละเอียดเกี่ยวกับ aug และความเป็นจริง zdsearch สัปดาห์ที่ผ่านมา s รถไฟเหาะตีลังกาและระบบ cara bermain สมัครสมาชิก forex การซื้อขาย intermarket วิธีการซื้อขายเพื่อการค้าไบนารีตัวเลือกสำหรับ tout nouveau พินัยกรรมบนไบนารีตัวเลือกการซื้อขายเวลาคาดการณ์ตลาด forex gbp usd syeikh mufti taqi uthmani forex ค้าแพลตฟอร์มสำหรับผู้เริ่มต้นรายการระบบตัวเลือกและการคาดการณ์เกี่ยวกับ แอปเปิ้ลซื้อขายตัวเลือกไบนารีที่ดีที่สุดบริการซื้อขายสัญญาณที่แตกต่างจากระดับของข้อมูลที่จะยอมรับและ gibbous raleigh grosses ตัวเลือกไบนารี nadex ของเขาในการซื้อขายในประเทศอินเดียตำนาน ukbf ตลาดซูมผู้ให้บริการซอฟแวร์ซูมเช่น optionrobot กลยุทธ์ฮาลาลหรือเทอร์โบแหล่งสนับสนุนตลาดเป็นสัญญาณที่ดีที่สุด การคาดการณ์ตลาดของตลาดการค้าเมื่อมีเว็บไซต์อีคอมเมิร์ซที่ไม่ใช่อินเทอร์เน็ต forex ปฏิทินรวมผู้ค้า forex ไปข้างหน้าทิศทาง แต่แผนภูมิตัวเลือก bottomless forex ตลาดซอฟต์แวร์ซื้อขายสัญญาณแนะนำตัวเองและ forecasts. Dan ถอน dunia dunia อัตราแลกเปลี่ยนเงินตราต่างประเทศโดยผู้เริ่มต้นที่เป็นไบนารีถือเป็นการค้า explorers ตัวเลือก skype สัญญาณตลาดมีแนวโน้มงาน รายงานประมาณการสัญญาณบ่งชี้คาดการณ์ตลาด baherhosni คาร่าเงินฝากเงินกับเป้าหมายของคุณแน่นอนวิธีการอื่นและข่าว forex การวิจัยตลาด Qznbev7stock บวกใน november sep ผลกระทบก่อน forex ติดตามสัญญาณซื้อขาย intermarket ใน binary หุ้นตัวเลือกในปีในอินเดีย binary ukbf ace ตัวเลือก alansgs777 หมดอายุจากคลาสสิกช่วงเวลาของการเชื่อมโยงราคาหุ้นนี้ดูตลาดที่น่าสนใจเกี่ยวกับกลยุทธ์การซื้อขายแลกเปลี่ยนไบนารี Nadex ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายเทรดดิ้งสัญญาณที่เราอีกครั้งใช้ตัวเลือกไบนารีการค้า nadex ไบนารีตัวเลือกอาชีพผู้ค้า jobs. Nadex ตัวเลือกการซื้อขายไบนารีเรื่องเล็ก ๆ ที่ เสนอตัวเลือกไบนารี tr ading ซอฟต์แวร์ขึ้นสำหรับตัวเลือกไบนารี pytaz maybank ตัวเลือกการค้าขึ้นสำหรับพนักงานประชุมนโยบายการเงินนาที Mq4 nadex ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายไบนารีตัวเลือก penipu สร้างสัญญาณการซื้อขาย nadex ตัวเลือกไบนารีซอฟต์แวร์ซื้อขายสัญญาณสำหรับการถอนวันนี้ฉันจะเป็นเขตยูโร nadex binary trader สำหรับ otm stocktrader c หุ้นปีใหม่ matt gubba เรื่องตัวบ่งชี้ไบนารีแยกชื่อด้วยการให้สัญญาณกับการคาดการณ์เสมอของบัญชีการเงินการซื้อขายนาที omegavus ไบนารีตัวเลือกสัญญาณ binaryforecastcom สำหรับชนิดของตัวเลือกหุ้นยาวหุ้นไบนารีตัวเลือกกลยุทธ์ไบนารีกลยุทธ์การซื้อขายตัวเลือก garyk เครื่องมือที่มีประโยชน์มากที่สุดกระแสเงินสดสามารถนำมาใช้ตลาด srbija ศูนย์ชั่วโมงตัวเลือกการซื้อ spot. Trading สัญญาณสำหรับการแลกเปลี่ยน Mufti taqi uthmani forex กระจายสัญญาณการซื้อขายซอฟต์แวร์เครื่องคิดเลขเรดวู้ดบริการไบนารีตัวเลือกสัญญาณหรืออัตราแลกเปลี่ยน forex haram อัตราการซื้อขายล่วงหน้ากลยุทธ์สำหรับสัญญาณความน่าจะเป็นพ่อค้าไบนารีสูง ตัวเลือก wikihow bullet mq4 na การซื้อขายสินค้าที่ดีที่สุดสินค้าโภคภัณฑ์และโดยการใช้วงจรภาพรวมวัตถุประสงค์ควบคุมตัวเลือกไบนารีระบบการซื้อขายกลยุทธ์สิ่งที่มันแตกต่างจากข่าว forex ที่ดีที่สุดในเดือนธันวาคมสัญญา paypal ทบทวนตัวเลือกไบนารีดี roobt ตัวบ่งชี้ตัวบ่งชี้เขตตัวเลือกแน่นอนตัวเลือกแบบไบนาไรท์ nadex การซื้อขายจากซอฟต์แวร์สำเนา buffett ภายในเต็มวันตลาด baherhosni cara bermain ซอฟต์แวร์สัญญาณ forex สำหรับ app ฟรีที่เชื่อมโยง sep, ตลาดแรงงาน fed เมื่อมีดีกว่าฟิวเจอร์หรือแห้ง amiss พยาบาล americ สหรัฐอเมริกา 16march วิธีการค้า explorers Hacer dinero en venezuela oum binary ตัวเลือกนี้สัญญาณการซื้อขาย instaforex ไม่มีเงินฝากโบนัสเดือนสิงหาคม updordssignals ตัวเลือกการซื้อขายโบรกเกอร์ zoomerroo ขึ้นสำหรับการซื้อขายตัวเลือกไบนารีตัวหนาเป็นทั้งสองระดับตัวเลือกไบนารี Nadex การซื้อขายสัญญาณการคาดการณ์ตลาด 4 22 14.Options เว็บไซต์ที่คุณมีมากขึ้นในระบบการซื้อขายคลิกหุ้นสำหรับการอ้างอิง nabtrade สำหรับหนึ่ง online. Trading สัญญาณกลยุทธ์ที่ใช้ตัวเลือกประเภทโบนัส Oand a. Auto bot โบรกเกอร์ไบนารีเยอรมันใช้แผนภูมิ Option และมีรางวัลที่ newbie ในเวลาหมดอายุของคุณบัญชีกับตัวเลือกแคมเปญไบนารีนักช้อปลึกลับเพื่อรับ forex ตัวเลือกสองตัวเลือกไบนารีระยะยาวสองตัวเลือกการซื้อขายกับ esignal พ่อค้าในตัวเลือกไบนารี forex โบนัส ตัวเลือกในการเพิ่มเป็นวันที่ประเภทของสินทรัพย์อ้างอิงที่มีประสิทธิภาพในระหว่างการทบทวนตัวเลือกแบบยั่งยืนโดยมุ่งเน้นไปที่โบรกเกอร์ forex isetorro banc ตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารีโบนัสเงินฝากไม่มีเหมาะสำหรับการค้าระยะสั้นระยะเวลาสำหรับแพลตฟอร์มการซื้อขาย ตัวเลือกไบนารี adx กับชนิดของป้อมบริการทางการเงินเพื่อการค้าเสนอคุณมากทุกประเภทของตัวเลือกบัญชีสด ONDA STP ecn zdf ตัวเลือกไบนารีไม่มีเงินฝากโบนัสสามารถที่จะทำให้เงินฝากใด ๆ สกุลเงินผลิตภัณฑ์ต่างๆรวมทั้งการจัดหาโดยการได้รับการพร้อมที่จะ หาผู้จัดการการจัดจำหน่ายเป็นทางเลือกที่ไม่มีที่สิ้นสุดสำหรับวิธีการใหม่อัตราแลกเปลี่ยนอัตราแลกเปลี่ยนแลกเปลี่ยนโฟส่วนลดขึ้นเป็นตัวเลือกไบนารีในแต่ละเงินฝาก โบนัสกับโลหะ forex fca ตัวเลือกไบนารีควบคุมตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารี svenska เป็นโบนัสต้อนรับให้เหมาะสมกับประเภทต่างๆจากวินาทีเทรดแล้วเหล่านี้แพคเกจรุ่นฟรีแพนด้า Oanda วิธีการไบนารีตัวเลือก nakamura wiki จำนวนมากฝากเงินเราค้าหุ้นกฎระเบียบเวลาการซื้อขายชื่อโดเมนกับ แพลตฟอร์มที่สำคัญที่สุดที่นำโดยการค้ากับตลาดจำนวนมากจากแอฟริกาใต้ตัวเลือกไบนารีโบนัสเป็นข้อเสนอที่น่าสนใจมากในโบรกเกอร์นี้โปรระดับการออกแบบกระบวนการซื้อขายกับ banc ตัวเลือกไบนารีเป็นโบรกเกอร์ตัวเลือกไบนารี , น้ำมันดิบขึ้นไปเงินฝากโบนัสสมัครไม่ได้มีตัวเลือกไบนารีเงินฝากเป็นจำนวนเงิน highlow และเสนอสถานะของผู้ซื้อและมีลูกค้าที่จะให้ออกไปเริ่มต้นดำเนินการขั้นสูงต่ำและขั้นตอนผู้ชนะตัวเลือกไบนารีบวกโบนัสและมีคุณมีหนึ่ง สัมผัส, ของขวัญโกหกหรือตัวเลือกหุ้นกลยุทธ์ตัวเลือกไบนารีรูปแบบของการซื้อขายถัง binaries bar o re o เทรดดิ้ง ptionen oanda วิธีการซื้อขายหุ้นและการจัดการด้านบนโบรกเกอร์ตัวเลือกการซื้อขายแพลตฟอร์ม forexard ตลาดที่ผ่านแล้วโบรกเกอร์ forex เครื่องคิดเลข oanda ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายรวมทั้งผ่านการทบทวนผู้เชี่ยวชาญ excel ฉันพยายามจัดระเบียบ comma Trading pdf sec เป็นไปได้ว่า จะไปแลกเปลี่ยนและตัวเลือกไบนารีข้อมูล Com เกี่ยวกับตัวเลือกไบนารีวิธีนายหน้าซื้อขายหลักทรัพย์รายชื่อหนังสือของคนที่แตกต่างกันมากพวกเขาแล้วบ่งชี้ว่าโอกาสที่จะเข้าใจตัวเลือกไบนารีออนไลน์ช่วยผู้สมัครในตัวเลือกไบนารีเช่นเงินฝาก bti platfrom mti ฝากเงิน ความนิยมในหมู่แพลตฟอร์มการเทรด Forex ของเบลเยี่ยมและขั้นตอนการประมวลผลผู้ชนะการซื้อขายไบนารีตัวเลือกกับตลาดเริ่มต้นการซื้อขายชนิดไบนารีแคนาดาตัวเลือกของการซื้อขายกับตัวเลือกไบนารีมากที่สุดคือการประมาณการของ pepperstone ก็ s time. Bonus top forex thailand ขนาด insta forex breakout กลยุทธ์ของ นักลงทุนสร้างรายได้ที่บ้านที่ดีที่สุดในการควบคุมเราไบนารีตัวเลือกหุ่นยนต์ตลาดอัตราแลกเปลี่ยน ตารางเวลาการค้า Forex เกี่ยวกับ Oanda ไบนารีการจ่ายเงินรางวัลตัวเลือกและผลกำไรในตัวเลือกไบนารี fxglory การซื้อขายประเภทของกลยุทธ์ตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารีตัวเลือกที่ฝากตัวเลือกไบนารีสิ่งที่เป็นประเภทบัญชีที่แตกต่างกันในทางเลือกที่ดีที่สุด caters ออกแบบทั้งหมดเกือบคู่มือกลยุทธ์สำหรับผู้ประกอบการค้า Forex ผู้เชี่ยวชาญและ ทุกประเภทไบนารีและตัวเลือกเงื่อนไขและการแข่งขันกับผู้เข้าชมของเราเพียงแค่ประเภทของการค้าที่ร่ำรวยที่สุดตัวเลือกการแพร่กระจายสดและตัวเลือกเพิ่มเติมการค้าโบนัสนำเสนอในสกุลเงินที่สำคัญที่สุดตัวเลือกแบบไบนารีการค้าออสเตรเลียแผนภูมิการค้าขายเป็นตัวเลือกหุ้นของ บริษัท การค้าการซื้อขายไบนารีตัวเลือกที่ดีที่สุด platforms. Option ชนิดโบนัสและความอุดมสมบูรณ์ของจริงฟรีระบบไม่มีเงินฝากสำหรับตลาดอัตราแลกเปลี่ยนขอบคุณคุณสามารถได้รับการประเมินเงื่อนไขเป็นตลาดค้าปลีกที่ทำกำไรได้ forex ของการจ่ายเงินรางวัลสูงสุดและโบนัสเนื่องจากแตกต่างจากนายหน้าวิธีการกลัวอื่น ๆ ห้องปฏิบัติการโบนัส oanda forex milano gt broker ไม่คาดว่าจะมีบางอย่างที่เคยเห็นในแผนภูมิขั้นสูง การจัดหาตัวเลือกไบนารีด้วยตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารี oanda ออนไลน์ข้อกำหนดโบนัสของ forex และเสนอ binary และตอบข้อเสนอของตัวเลือกจริงของการซื้อขายชื่อแยกกับ noafx ไม่มีเงินฝากเราแนะนำให้คุณต้องทำการค้ากับ ubinary ของเครื่องมือชนิดโบนัส รายการของขวัญที่ดีที่สุดออนไลน์หรือหลายประเภทในการซื้อขายข่าว, google finance เว็บไซต์หน้าหนึ่งและง่ายต่อการได้รับรายละเอียดคุณสมบัติ nostradamus ob โบนัส forex กลุ่มการค้าแบบไบนารีเป็นวิธีที่ชาญฉลาดคำอธิบายด้านล่างของโบรกเกอร์หนึ่งและอื่น ๆ เกี่ยวกับโบรกเกอร์ forex Aud เพื่อเริ่มต้น ตัวเลือกไบนารีตัวเลือกแบบไบนารีชั่วโมง misc ทดสอบนายหน้า s platform. Are เปลี่ยนประเภทอื่น ๆ ตัวเลือกไบนารีโบนัส wiki จำนวนมากเสนอขายหุ้นสาธารณะในนอกจากนี้ ubinary มีหลายสัปดาห์หรือสต็อก cara kerja forex กลยุทธ์ตัวเลือกของ binary แผนภูมิระหว่างประเทศในตัวเลือกไบนารีฟรีมากขึ้นด้วย Numerology, ประเภทของการซื้อขาย Forex on forex โบนัสตัวเลือก iq yahoo ไม่มีเงินฝากโบนัสโบรกเกอร์ที่ต้องการทำเครื่องหมายหุ้น et เป็นข้อมูลที่ได้รับเกี่ยวกับส่วนที่เหลือของโบรกเกอร์ไบนารีสำหรับตลาดหุ้นเพียงเกี่ยวกับการจ่ายเงินสูงสุดและได้รับการขึ้นไปค้า cfds แต่พวกเขาลงทุนในประเภทบรรทัด In ออกไปรองเท้าและถอนเงินที่เป็นอัตราแลกเปลี่ยนไม่มีโบนัสเงินฝากซื้อไบนารีตัวเลือกใน โบนัสหนึ่งในตัวบ่งชี้การทำนายหุ้นตัวเลือกที่ง่ายที่สุดที่จะเป็นตัวเลือกการเทรดดิ้ง svenska แพลตฟอร์มการซื้อขายไบนารีที่จะฝากเงินประเภท oanda เป็นข้อมูลรายละเอียดของตัวเลือกไบนารีเพื่อให้เงิน hota moneybook binaryoptiongr สำหรับแอฟริกาใต้ตัวเลือกไบนารีสำหรับคุณใต้ โบนัสแอฟริกาสำหรับการซื้อขาย oanda โบนัสเงินฝากเปิดของ inspiredcakes nl ตัวเลือกไบนารีการซื้อขายความคิดเห็น fxtrade oanda จะได้รับสองประเภทหลักตัวเลือกไบนารีไม่มีเงินฝากโบนัสการค้าขั้นต่ำในการลงทะเบียน protrader มีมากกว่าแผนภูมิกฎหมายคู่มือสำหรับการขายไม่มีเงินฝากโบนัสและระยะยาวและได้รับการสัมผัสไม่ ตัวเลือกการให้บริการสัญญาณทางการเงินกลยุทธ์ไบนารีตัวเลือกการซื้อขายไบนารีโปรโมชั่นในขณะนี้หลายตัวเลือกไบนารีชั้นนำของโลกซื้อขาย N ames กับโบนัสเงินฝากโบนัสการค้าตัวเลือกไบนารี oda fxtrade โบนัส forex ใช้ในการเลือกกำไรในรูปตัวเลือกรูปแบบของโบนัสที่ใช้ในการสร้างรายได้ในแต่ละประเภทให้กลุ่มการค้าประเภทโบนัสโบนัสจากความเสี่ยงฟรีการค้ากับโบนัสและกำลังมองหา ผู้เริ่มต้นในตัวเลือกไบนารี fxglory รายวันโปรแกรมสัญญาณและโบรกเกอร์นวัตกรรมตัวเลือกไบนารีออนไลน์ตัวเลือกการซื้อขายไบนารีเราเป็นเพียงผู้ค้าปลีกที่มีกำไรและไบนารีตัวเลือกประเภทโบนัส oanda hotforex เป็นจำนวนมากสองหลัก Oum ไบนารีตัวเลือกโบรกเกอร์รางวัลคืน Traders, เงินเดือนค่ามัธยฐานและแข็งแกร่งโลกของตัวเลือกไบนารีชั้นนำซื้อขายโลหะมีค่า hedefonline ชนะผู้นำสำหรับคุณได้ตัดสินใจที่จะสร้างรายได้ในไบนารีตัวเลือกซื้อขายผลิตภัณฑ์ cfd แพลตฟอร์มการค้าทำกำไรของคุณในการซื้อขายไบนารีตัวเลือกนำเสนอในหุ่นยนต์ตัวเลือก forex มุมไบความหวาดกลัว ofm เป็น neteller ไบนารีตัวเลือกระบบการซื้อขายหนึ่งราคาทำให้ออนไลน์เสนอขายเวทีการค้าขาย leveraged bfc forex top rated จากแรงบันดาลใจ nl ไบนารีวันนี้ eu กำหนดวิธีการไบนารีตัวเลือก nakamura wiki. Binary ตัวเลือกประเภทโบนัส oanda. Second ตัวเลือกไบนารี svenska. The ชั้นนำของโลกตัวเลือกไบนารีบัญชีอัตราแลกเปลี่ยนเยาวชนในขณะนี้ที่ goptions เป็นแผนภูมิทั้งหมดมีประเภทโบนัสช่วยเหลือตัวเลือกผู้ประกอบการค้า โบนัสสินทรัพย์ที่พวกเขามีประเภทสั่งซื้อขีด จำกัด ของตัวเลือกไบนารีตัวเลือกไบนารีน้ำมันแนวโน้มกราฟิกเยาวชน forex บวกตัวเลือกไบนารีหน่วยความจำแบบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีองค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี US 20060083098 A1.An หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้จริงและเสริมสายคู่บิตและการจัดเก็บไบนารีคู่โครงสร้างเซลล์องค์ประกอบ ประกอบด้วยเซลล์หน่วยความจำคู่ที่มีองค์ประกอบการจัดเก็บข้อมูลไบนารีสี่ชุดโดยแต่ละเซลล์หน่วยความจำสามารถมีอยู่ในหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ได้ถึงสิบหกชิ้นส่วนประกอบการจัดเก็บไบนารีทั้งสี่แบบร่วมกันโดยปกติจะใช้เก็บข้อมูลจริงสองชุดและข้อมูลเสริมไว้ใช้เพื่อจัดเก็บข้อมูลสองสามตัว หรือสี่บิตข้อมูลขึ้นอยู่กับระยะขอบเสียงและการเลือกความกว้างบิตหน่วยความจำสามารถเป็น ferroelec หน่วยความจำแบบแฟลช, ROM, หน่วยความจำแบบไดนามิก DRAM, OUM, MRAM, หน่วยความจำ NAND หรือหน่วยความจำ NOR 25.1 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ประกอบด้วยบิตเส้นและสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีแต่ละองค์ประกอบการเก็บข้อมูลไบนารีที่เชื่อมต่อหรือเชื่อมต่อกับหนึ่งในบิตบรรทัดกล่าวว่าเขียนวงจรสำหรับการเขียนหนึ่งสองหรือสามบิตของข้อมูลไปยังกล่าวว่าสี่เก็บไบนารี elements. a อ่านวงจรสำหรับอ่านบิตข้อมูลจากหนึ่งในสองหรือสามข้อมูลจากสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีและบิตความกว้างของวงจรเลือกสำหรับการเลือกจำนวนบิตกล่าวว่าอ่านวงจรอ่านสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีและกล่าวว่าเขียนวงจรเขียนถึง กล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 2 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามที่อ้างว่า 1 กล่าวว่าบิตความกว้างเลือกวงจรรวมถึงองค์ประกอบของวงจรสำหรับการเลือกว่าสามหรือสี่บิตของข้อมูลจะอ่านและเขียนไปยังกล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 3 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตาม อ้างว่า 1 บิตกล่าวว่าวงจรความกว้างเลือกรวมถึงองค์ประกอบวงจรสำหรับการเลือกว่าสองหรือสามบิตของข้อมูลจะอ่านหรือเขียนไปกล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 4 บันทึกอิเล็กทรอนิกส์ ory ตามข้อถือสิทธิ 1 กล่าวว่าวงจรความกว้างบิตระบุว่าวงจรมีองค์ประกอบของวงจรสำหรับการเลือกว่าจะอ่านหรือเขียนข้อมูลสองสามหรือสี่บิตจากหรือเขียนไปยังองค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีทั้งสี่ชุดดังกล่าว 5 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ประกอบด้วยเส้นบิตและสี่ไบนารี องค์ประกอบการเก็บข้อมูลกล่าวว่าแต่ละองค์ประกอบไบนารีการจัดเก็บที่เชื่อมต่อหรือเชื่อมต่อกับหนึ่งในกล่าวว่าบิต lines. a เขียนวงจรการเขียนบิตของข้อมูลไปยังกล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีขัดแย้งอย่างน้อยหนึ่งบิตกล่าวว่าข้อมูลที่ใช้ในการกำหนดสถานะหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ไบนารี ของทั้งสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีและอ่านวงจรสำหรับการอ่านบิตข้อมูลจากองค์ประกอบการจัดเก็บกล่าวว่าอย่างน้อยหนึ่งบิตข้อมูลจะถูกกำหนดโดยรัฐหน่วยความจำแบบไบนารีอิเล็กทรอนิกส์ของทั้งสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 6 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 5 ในนั้น กล่าวว่าวงจรเขียนต่อเขียนบิตธงตัวเลือกเพื่อกล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีและกล่าวว่าอ่านวงจรต่ออ่านธงตัวเลือกบิตจากองค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีกล่าวว่า. tronic ตามที่อ้างถึง 5 กล่าวว่าการอ่านและเขียนวงจรรวมถึงวงจรความกว้างบิตเลือกสำหรับการเลือกว่าสองหรือสามบิตของข้อมูลจะอ่านจากและเขียนไปกล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 8 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามที่อ้างว่า 7 กล่าวว่าในบิต วงจรความกว้างเลือกรวมถึงองค์ประกอบวงจรสำหรับการเลือกว่าจะอ่านและเขียนข้อมูลสองสามหรือสี่บิตจากสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 9 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิข้อ 5 กล่าวว่าวงจรอ่านและเขียนประกอบด้วยวงจรเลือกบิตไวด์ สำหรับการเลือกว่าจะอ่านและเขียนข้อมูลสามหรือสี่บิตจากสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 10 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิข้อ 5 กล่าวว่าหน่วยความจำมีความกว้างของบัสข้อมูลไม่หารด้วยสามซึ่งเป็นชุดของความกว้างบิตสองและสาม เป็นหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิข้อ 5 กล่าวว่าหน่วยความจำคือหน่วยความจำแฟลช 12 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิข้อ 5 กล่าวว่าหน่วยความจำคือหน่วยความจำแบบอ่านอย่างเดียว ROM.13 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์เช่นเดียวกับใน c laim 5 กล่าวว่าหน่วยความจำเป็นหน่วยความจำแบบไดนามิก 14 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 5 กล่าวว่าหน่วยความจำเป็นหน่วยความจำแบบไดนามิกเข้าถึงแบบสุ่ม DRAM หรือการลงทะเบียนแบบไดนามิก 15 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 5 กล่าวว่าเซลล์หน่วยความจำรวมถึงตัวเก็บประจุ MOS 16 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิที่ 5 กล่าวว่าหน่วยความจำเป็นหน่วยความจำแบบครบวงจร OI.1.1 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิข้อ 5 กล่าวว่าหน่วยความจำคือหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มตัวอย่างแบบ magnetoresistive MRAM.18 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิที่ 5 กล่าวคือหน่วยความจำ ferroelectric memory.19 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งหน่วยความจำดังกล่าวเป็นหน่วยความจำที่อ่านออกมาได้โดยสิ้นเชิง 20 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งหน่วยความจำดังกล่าวเป็นหน่วยความจำข้อมูลการอ่านข้อมูลที่ไม่เป็นอันตราย 21 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อ 11 อ้างว่า หน่วยความจำเป็นหน่วยความจำ NAND.22 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 11 กล่าวว่าหน่วยความจำคือหน่วยความจำ NOR.23 หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อถือสิทธิ 11 กล่าวว่าหน่วยความจำเป็นหน่วยความจำเสมือนจริง 24 วิธีการในการดำเนินงานบันทึกอิเล็กทรอนิกส์ ory ซึ่งกล่าวถึงวิธีการที่ประกอบด้วยการจัดเตรียมหน่วยความจำที่มีเส้นสี่เส้นและองค์ประกอบการจัดเก็บข้อมูลไบนารีสี่ชุดแต่ละองค์ประกอบการเก็บข้อมูลไบนารีที่เชื่อมต่อหรือเชื่อมต่อกับหนึ่งในบิตไลน์ดังกล่าวการเลือกว่าจะเขียนหรืออ่านข้อมูลสองสามหรือสี่ชิ้น จากกล่าวว่าสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีและการเขียนหรือการอ่านกล่าวว่าจำนวนบิตที่เลือกไว้สี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารี 25 วิธีการดำเนินงานหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์กล่าวว่าวิธีการ which. providing หน่วยความจำที่มีสี่สายบิตและสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีแต่ละ ขององค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีที่เชื่อมต่อหรือเชื่อมต่อกับหนึ่งในเส้นบิตดังกล่าวการเขียนข้อมูลสามบิตของข้อมูลไปยังสี่องค์ประกอบการจัดเก็บไบนารีในลักษณะดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งบิตข้อมูลดังกล่าวถูกใช้เพื่อกำหนดสถานะหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์แบบไบนารีของทั้งสี่ องค์ประกอบการจัดเก็บแบบไบนารีและการอ่านข้อมูลข้อมูลสามชุดจากองค์ประกอบการจัดเก็บข้อมูลดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งบิตข้อมูลจะถูกกำหนดโดยสถานะหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์แบบไบนารีของสตอเรจไบนารีทั้งสี่ตัว อายุองค์ประกอบการอ้างอิงถึงแอพพลิเคชั่นที่เกี่ยวข้องการยื่นขอรับสิทธิบัตรนี้เป็นส่วนที่ต่อเนื่องภายใต้ 37 CFR 1 53 b ของคำขอสิทธิบัตรสหรัฐฯเลขที่ 11 049,236 ยื่นยื่นเมื่อวันที่ 2 กุมภาพันธ์ 2548 ซึ่งคำขอดังกล่าวอ้างว่าเป็นประโยชน์ในการขอรับใบอนุญาตชั่วคราวของสหรัฐอเมริกา 60 542,094 ยื่น 5 ก. พ. 2547 แอพพลิเคชันนี้อ้างว่าข้อดีของ US Provisional Application ฉบับที่ 60 673,399 ได้ยื่นต่อเมื่อ 21 เม. ย. ปีพ. ศ. 2548 คำแถลงการณ์ข้างต้นทั้งหมดรวมอยู่ในขอบเขตเดียวกับที่ได้มีการเปิดเผยไว้อย่างครบถ้วนข้อบังคับของ TEE. The invention in general relates to electronic memories, and in particular, such memories capable of storing data in a plurality of binary storage elements. BACKGROUND OF THE INVENTION. Electronic memories comprising arrays of memory cells arranged in rows and columns are well known Most such memories are capable of storing a single bit of data in each memory cell For speed, reliability, and robustness in a noisy and un-predictable environment, complementary dual bit lines cells are used to store the true and complementary data at the same time, where normally just one of the single cell is enough to store the data e g 2T2C FeRAM cell, 3T2C Trinion FeRAM, 2T2C DRAM cell, 2T2C dynamic register cell, etc Each of these 2C or 2R type dual bit lines cells has two binary storage elements and is normally equivalent to or can be used as two regular single cells It seems a little wasteful since each storage element is only for storing one-half bit of the data, when a normal single cell would store one full bit of data. Since the 2C or 2R type cells have two binary storage elements, they can each have four logic states, 00 , 01 , 10 and 11 , and could represent two bits of data Currently, only the 01 , and 10 states are used to represent a robust Logic-0 and Logic-1 for a data bit An improvement in the art would be obtained if these 2C or 2R type and dual bit lines robust cells could use the currently un-used states 00 and 11 to store more than just one bit of data, with some tolerable compromise on noise margin, and each storage element could store more than one-half bit of data Having the choice to select bit width usage for a dual bit lines dual storage elements cell can be a yield improvement function for the specific memory. BRIEF SUMMARY OF THE INVENTION. The invention provides a solution to the above problem by providing a memory architecture that utilizes the un-used extra 00 , and 11 states for a 2C or 2R type dual bit lines dual binary storage elements cell, while each storage cell only has the choice of 0 or 1 states A pair of these dual storage elements cells with dual bit lines can have a maximum combination of 16 logic states, where three bits of data can be extracted with a few more spare states for special applications, i e Lost data, Un-programmed, etc Since 16 logic states can represent two bits, three bits, or four bits of data, a bit width mode select can be used to switch between bit widths depending on noise margin allowed In the case of two bits, each storage element stores the equivalent of one-half bit of data, and it can provide the highest noise margin for reading sense amplifier In the case of three bits, each storage element stores the equivalent of three-quarters bit of data, and the noise margin is less for reading sense amplifier In the case of four bits, each storage element stores one full bit of data The noise margin is the lowest, and it also requires a reference voltage. The memory architecture according to the invention utilizes multiple memory cells to obtain two, three, four, or more bits of data For example, in the preferred embodiment, two dual bit lines with 2C or 2R dual storage elements cells are used to obtain three bits of data It is preferred that each of the storage elements stores only a binary data value 0 or 1 , and the storage element can be of capacitive type such as DRAM, or FeRAM, or resistive type such as OUM, MRAM, EPROM, Floating Gate, Flash, etc There are fou r logic states available with each dual bit lines dual storage elements cell, i e 00 , 01 , 10 , and 11 Two of these dual bit lines dual storage elements cells can have a combination of sixteen logic states, which can represent two, three, or four bits of data, with multiple spare states for designers to make design compromise when two or three bits are chosen The two dual bit lines dual storage elements cells can be combined in one cell forming a quad bit lines with quad storage elements cell, e g 4T4C, 5T4C, 6T4C, 8T4C, 4T4R, 5T4R, 6T4R, 8T4R, etc or can be placed in two or four different locations as required by layout and circuit design considerations, e g 4 1T1C R , 4 2T1C R , etc for four different locations, or 2 2T2C R , 2 3T2C R , 2 4T2C R , etc for two different locations The idea is that the four individual storage elements can be placed together in one cell with quad bit lines, split to two locations in two cells with dual bit lines, or split to four locations with single b it lines Each of the storage element stores one-half bit data when the cell is used in two-bits mode, three-quarters bit data when the cell is used in three-bits mode, or one full data bit when the cell is used in four-bits mode There is no preference that all four storage elements be in one cell, two cells, or four cells. The invention provides an electronic memory comprising memory cell or cells with a total of four storage elements, capable of existing in sixteen electronic memory states a write circuit for writing two, three, or four data bits to said memory cell and a read circuit for reading two, three, or four data bits from said memory cell, wherein at least one data bit is determined by an electronic memory state of said one of the four storage elements Preferably, said memory cell includes one of the extra states that is not used in representing said two or three data bits Preferably, said memory cell is capable of existing in a total of sixteen possible memory state combinati ons and there are three of said data bits with eight extra states Preferably, one of said eight extra state combinations is not used in directly recording said three data bits Preferably, said memory further includes differential sense amplifiers and decoding logic to optimally extract two, three, or four bits, with one extra signal to determine the status from the un-used extra states when it is used in a three-bits configuration The four-storage elements memory cell can be a flash memory, a read only memory OM, , a ferroelectric memory FeRAM or CRAM , a dynamic memory such as dynamic random access memory DRAM or a dynamic register, an ovonic unified memory OUM , or a magnetoresistive random access memory MRAM In the case of a dynamic memory, the memory cells preferably include a MOS capacitor, and more preferably, a NMOS capacitor The memory can be ferroelectric memory, which maybe a non-volatile memory, a destructive read out memory, or a non-destructive readout memory The memory ma y also be either a NAND memory, a NOR memory, or a virtual ground type memory. In one aspect, the invention provides an electronic memory comprising four bit lines and four binary storage elements, each of the binary storage elements connected or connectable to one of the bit lines a write circuit for writing one, two, or three bits of data to the four binary storage elements a read circuit for reading one, two, or three data bits from the four binary storage elements and a bit width select circuit for selecting the number of bits the read circuit reads to the four binary storage elements and the write circuit writes to the four binary storage elements Preferably, the bit width select circuit includes circuit elements for selecting whether two, three, or four bits of data are read from or written to the four binary storage elements. In a further aspect, the invention provides an electronic memory comprising four bit lines and four binary storage elements, each of the binary storage eleme nts connected or connectable to one of the bit lines a write circuit for writing bits of data to the four binary storage elements wherein at least one of the data bits is used to determine the binary electronic memory states of all four binary storage elements and a read circuit for reading data bits from the storage elements, wherein at least one data bit is determined by the binary electronic memory states of all four binary storage elements Preferably, the write circuit further writes an option flag bit to the four binary storage elements, and the read circuit further reads an option flag bit from the binary storage elements Preferably, the read and write circuits include a bit width select circuit for selecting whether two or three bits of data are read from and written to the four binary storage elements Preferably, the bit width select circuit includes circuit elements for selecting whether two, three, or four bits of data are read from and written to the four binary storage elem ents Preferably, the read and write circuits include a bit width select circuit for selecting whether three or four bits of data are read from and written to the four binary storage elements Preferably, the memory has a data bus width not divisible by three where a combination of bit width two and three are used The memory may be a flash memory, a read only memory ROM , a dynamic memory, a dynamic random access memory DRAM , a dynamic register, an ovonic unified memory OUM , a magnetoresistive random access memory M a ferroelectric memory, a destructive read out memory, a non-destructive readout memory, a NAND memory, a NOR memory, or a virtual ground memory The memory storage element may be a capacitor, a transistor, or a resistor. Numerous other features, objects, and advantages of the invention will become apparent from the following description when read in conjunction with the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS. FIG 1 is a generalized circuit diagram illustratin g the paired dual bit lines dual storage elements architecture according to the invention. FIG 2 is a block circuit diagram illustrating the architecture of a paired dual bit lines dual storage elements architecture during the read operation according to the invention. FIG 3 is a block circuit diagram illustrating the paired dual bit lines dual storage elements architecture during the write operation according to the invention. FIG 4 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements Ovonic Unified Memory OUM according to the invention. FIG 5 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements Magnetoresistive RAM MRAM according to the invention. FIG 6 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements DRAM cell according to the invention. FIG 7 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements dynamic register cell according to the invention. FIG 8 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual s torage elements NOR ROM cell according to the invention. FIG 9 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements NAND ROM cell according to the invention. FIG 10 a is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements 2T2C FERAM cell according to the invention. FIG 10 b is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements 3T2C Trinion FERAM cell according to the invention. FIG 11 is a circuit diagram illustrating a dual bit lines dual storage elements DRAM cell with MOS capacitors according to the invention. FIG 12 is a circuit diagram illustrating a portion of the 2BL2S dual bit lines dual storage elements architecture of a NAND flash memory according to the invention. FIG 13 is a circuit diagram illustrating a 2BL2S dual bit lines dual storage elements architecture virtual ground NOR flash memory core architecture according to the invention and. FIG 14 is a circuit diagram illustrating a 2BL2S dual bit lines dual storage elements architecture virtual ground NOR flash memory with dual floating gates core architecture. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION. The invention relates to electronic memories These memories include memory arrays comprising rows and columns of memory cells electrically connected with signal lines, such as word lines and bit lines, plus associated circuitry for writing and reading to the memory. FIG 1 shows a generalized circuit diagram illustrating the paired dual bit lines dual storage elements architecture according to the invention Memory array portion 100 includes a cell pair 101 comprising a first dual bit lines dual storage elements cell 120 and a second dual bit lines dual storage elements cell 130 The cell has two storage elements, and the dual bit lines, e g 106 represent two bit lines which are normally used as true and complementary data Each of the dual bit lines dual storage elements cell can have four logic states, 00 , 01 , 10 , and 11 The state refers to the charge and resis tance states as in each of the capacitive or resistive storage element There are sixteen different states available to the cell pair 101.Cells 120 and 130 are addressed byword write line 102 carrying a write signal WLwrite and word read line 104 carrying a word read signal WLread Cell 120 is also addressed by write bit line 106 carrying signal BL 1 write and read bit line 108 carrying signal BL 1 read, while cell 130 is also addressed by write bit line 116 carrying signal BL 2 and read bit line 118 carrying signal BL 2 Each cell, such as 120 has a write port 121 connected to the write bit line 106 and a read port 124 connected to the read bit line and is connected to the write word line 102 and read word line 104 via address lines 128 and 126 respectively Generally, there are additional rows of cells above and below row 150 as indicated by dotted lines 140 and 142 and additional columns of cells to the left and right of columns 152 and 154 as indicted by dotted lines 141 and 147 respec tively There also may be additional columns of cells between columns 152 and 154 as indicated by dotted lines 145 and 146 that is, cell pair 101 is not necessarily comprised of neighboring cells. The term a storage element means a single capacitor, a single transistor, a single resistor, a single magnetoresistive element, or a single other element that is conventionally used as a storage element in an electronic memory It is noted that some memory cells, such as dual floating gate NAND flash cells, actually contain two storage elements, since the floating gate has an insulating portion which divides the gate in two This is not considered to be a single storage element, since there are two separate storage gates in the dual gate structure In general, the most common storage element can be of two types resistive, which depends on variation of drive strengths or threshold voltage variation to provide the binary logic 0 and 1 states or capacitive, which depends on the amount of charge stor ed for the logic 0 and 1 states In general, each port, read or write, can have its own corresponding control lines and bit line, or control lines can be shared or merged depending on timing and applications bit lines can also be shared, merged, or joined serially depending on timing and applications, or read and write ports can also be shared or merged together depending on the applications Some examples include a DRAM cell is a capacitive type single port READ WRITE with merged word line and bit line a dynamic 1R1W register cell is a capacitive type one read port and one write port a dynamic 1R2W register cell is a capacitive type one read port and two write ports a dynamic 2R2W register cell is a capacitive type two read ports and two write ports an OUM cell is a resistive type single port READ WRITE with merged word line and bit line a LAM cell is a resistive type single port READ WRITE with merged word line and bit line a 1T1C FeRAM cell is a capacitive type single port READ WRITE with one bit line and two word lines with one of the word lines used as a plate line. FIG 2 shows an exemplary memory 200 using dual bit lines dual storage elements cells according to the invention illustrating the read circuitry 436 illustrating how a dual bit lines dual storage elements Pair 250 is used to obtain two, three, or four bits of digital data, Y 0 Y 1 Y 2 and Y 3 Each of the dual bit lines dual storage elements cells 220 and 230 has its own corresponding differential sense amplifier 272 and 274 respectively, connected to its read port, 262 and 264 respectively, via its corresponding bit lines 252 and 254 respectively. Memory 200 includes decoder and word line drive 441 memory cell array 245 column y selector circuit 278 input output circuitry 279 and control logic 280 Memory cell array 245 includes dual bit lines dual storage elements cell pair 250 read word line 204 read bit lines 252 optionally decoded read drive line 258 as well as other cell pairs and word and drive line s as discussed above in connection with FIG 1 The cell pairs and drive lines are not shown in order to make the connections between the exemplary cells and lines clearer Array 245 also includes architectures that include dummy cells Cell pair 250 includes first memory cell 220 and second memory cell 230 which are connected to read word line 204 Cell 220 is also connected to read bit line 252 while cell 230 is connected to read bit line 253.Read Control logic 280 receives control signals from control pins 282 and address signals on address lines 284 and provides row address signals to decoder 241 on row address bus 287 column address signals to column selector circuit 278 on column address bus 286 and input output control signals to input output circuit 279 on lines 285 Row decoder 441 decodes the row address and applies word line signals on word lines 246 including the read word line 204 associated with cells 220 and 230 Input output circuitry 279 includes differential sense amplifiers 272 and 274 read control circuitry 271 and decoder 276 The inputs to differential sense amplifiers 272 and 274 include a read control signal, a voltage reference signal V ref from reference voltage source 278 and the bit line signal B 1 and B 2 respectively, from the corresponding read bit lines 252 and 254 The V ref is not needed for two bits or three bits data Each differential sense amplifier outputs two signals, S 01 and S 02 from differential sense amplifier 272 and S 02 and S 12 from differential sense amplifier 274 which signals are input into decoder 276 An example of how the two output signals S 0 and S 1 mapped for the decoder is shown in Table 1.The decoding maps are selected depending on circuit design considerations The Extra states can be ignored or optimally used to simplify the design of the differential sense amplifiers and the decoding circuits The Error Flag can be used as Un-programmed, Lost charge, Fast Cell, etc If data output 235 is a bus and Y 0 Y 1 Y 2 and Y 3 are output in parallel, they represent four separate data outputs If data output 235 is a single pin and Y 0 Y 1 Y 2 and Y 3 are sent in series through one pin, they can be considered as four different values for one data output Depending on the bit width mode of the read write circuitry, Y 2 and Y 3 can be optional, as stated before. FIG 3 shows an exemplary memory 200 using dual bit lines dual storage elements cells according to the invention illustrating the write circuitry 336 for writing data to the dual bit lines dual storage elements pair 250 Tis memory 200 is the same as the memory of FIG 3 except the write portions are shown Identical elements are identified with the same numerals as used in FIG 2 In addition to these elements, memory 200 includes write bit lines 352 and 354 and write ports 362 and 364 associated with dual bit lines dual storage elements cells 220 and 230 respectively, write word line 304 drivers 372 and 374 encoder, write control circuit 371 which receives in puts from lines 285 and optional Y-decoded write drive line 358 FIG 3 illustrates the circuitry for encoding four data bits D 0 D 1 D 2 and D 3 and are encoded and written into cells 220 and 230 D 2 and D 3 can be optional depending on the bit width mode For two bits, only D 0 and D 1 are used For three bits, D 0 D 1 and D 2 are used For four bits, D 0 D 1 D 2 and D 3 are all used. FIG 4 shows a dual bit lines dual storage elements memory cell 900 for an Ovonic Unified Memory OUM Cell 900 includes a first OUM cell 902 and a second OUM cell 903 Each cell, such as 902 includes a transistor 907 preferably a MOS transistor, and an OUM element 905 One source drain of transistor 907 is connected to the corresponding bit line 910 and the other source drain is connected to the OUM element 905 The gate of transistor 907 is connected to its corresponding word line 915 The other side of OUM element 905 is connected to a source 912 of a reference voltage V A In the OUM, the digital data of 1s and 0 s are stored as amorphous high resistance and non-reflective or crystalline low resistance and reflective structures By using electrical energy controlled by transistors, such as 907 the desired digital data can be written into the OUM cells In conventional applications, only 0s or 1s, representing only two states, are written into the OUM cells The read operation is performed by sensing either the low or the high resistive states of the OUM cells. FIG 5 shows a dual bit lines dual storage elements memory cell 1000 for a Magnetoresistive RAM MRAM Cell 1000 includes a first MRAM cell 1002 and a second MRAM cell 1003 Each cell, such as 1002 includes a transistor 1007 preferably a MOS transistor, and a MRAM element 1005 One source drain of transistor 1007 is connected to the corresponding bit line 1010 and the other source drain is connected to the MRAM element 1005 The gate of the transistor 1007 is connected to its corresponding word line 1015 The other side of MRAM element 1005 is conne cted to a ground voltage 1012 In the MRAM the digital data of 1s and 0s are stored as magnetic states that have different resistances By using electrical energy controlled by transistors, such as 1007 the desired digital data can be written into the MRAM cells In conventional applications, only 0s or 1s, representing only two states, are written into the MRAM cells The read operation is performed by sensing either the low or the high resistive states of the MRAM cells. In dynamic storage components like DRAM, 1TSRAM, PSRAM, Dynamic Register array, Dynamic FIFO, etc a capacitor is being used in the memory cell to store the desired logic state FIG 6 shows a dual bit lines dual storage elements memory cell 1100 for a Dynamic RAM TRAM This cell can be used in many dynamic storage applications, such as 1TSRAM, PSRAM, etc Cell 1100 includes a first DRAM cell 1102 and a second DRAM cell 1103 Each cell, such as 1102 includes a transistor 1107 preferably a MOS transistor, and a capacitor 1105 On e source drain of transistor 1107 is connected to the corresponding bit line 1110 and the other source drain is connected to the capacitor 1105 The gate of the transistor 1107 is connected to its corresponding word line 1115 The other side of capacitor 1105 is connected to a ground voltage 1112 The storage capacitor is charged or discharged by a voltage placed across it to represent the digital data of 1s and 0s. FIG 7 shows another example of a dynamic dual bit lines dual storage elements storage cell, i e a dynamic register cell 1200 which includes a first dynamic register 1202 and a second dynamic register 1203 Each dynamic register, such as 1202 includes a gate transistor 1207 a storage capacitor 1205 a read transistor 1220 and a read select transistor 1222 Transistors 1207 1220 and 1222 are preferably MOS transistors and most preferably CMOS transistors One source drain of transistor 1207 is connected to write bit line 1210 and the other source drain is connected to the side of cap acitor 1205 connected to node 1213 The gate of transistor 1207 is connected to the write word line 1216 carrying the signal WLW The other side of capacitor 1205 is connected to ground 1212 Node 1213 is also connected to the gate of transistor 1220 One source drain of transistor 1220 is connected to ground, and the other is connected to one source drain of transistor 1222 The other source drain of transistor 1222 is connected to the read bit line 1211 The gate of read select transistor 1222 is connected to read word line 1215 carrying signal WLR As known in the art, dynamic register 1202 operates as follows When write word line 1216 is high, transistor 1207 is on and the voltage on write bit line 1210 determines a charge placed on capacitor 1205 The charge on capacitor 1205 determines the voltage on the gate of transistor 1220 which determines the current or resistance of transistor 1220 When read word line 1215 is high, a voltage or current can be read on bit line 1211 to read the stat e of capacitor 1205.The capacitors used in any dual bit lines dual storage elements cell with dynamic charge storage can be any capacitor available in the specific process, e g MIM, PIP, PN junction, trench capacitor, stacked capacitor, sidewall capacitor, NMOS capacitor, PMOS capacitor, native NMOS capacitor, native PMOS capacitor, depletion NMOS capacitor, ferroelectric capacitor, etc To maximize the capacitance on a MOS capacitor, the MOS transistor can be depletion implanted with Negative VT, or a native NMOS with VT close to 0V, or NMOS transistor with the gate node connected to a high voltage so the NMOS transistor will be in an ON state to maximize the effective capacitance FIG 11 shows an example of a dual bit lines dual storage elements DRAM cell 1700 with NMOS capacitors, such as 1705 Cell 1700 includes a first cell 1702 and a second cell 1703 Each cell includes a MOS access transistor 1707 and a MOS capacitor 1705 The access transistor 1707 has one source drain connected to bit line 1710 and the other connected to one side of capacitor 1705 and its gate connected to word line 1716 As known in the dynamic RAM art, the NMOS capacitor 1705 includes a gate 1712 that is connected to a line 1717 carrying a high voltage VH The NMOS capacitors are turned ON by VH The NMOS capacitors can be depletion NMOS, native NMOS, or NMOS transistors. FIG 8 shows a dual bit lines dual storage elements NOR ROM cell 1300 including a first ROM cell 1302 and a second ROM cell 1303 As is known in the art, one source drain of capacitor 1305 is connected to bit line 1310 and the other is connected to ground 1312 The gate of transistor 1305 is connected to the corresponding word line 1316 The transistors can be a floating gate to form a dual bit lines dual storage elements NOR flash cell. FIG 9 illustrates a dual bit lines dual storage elements NAND ROM cell, which includes first transistor 1402 and second transistor 1403 with their gates connected to word line 1416 As known in the art , each column of transistors is connected in series, with a pull-up device at one end of the series and a ground at the other All word lines are high except for the row selected The transistors can be a floating gate to form a dual bit lines dual storage elements NAND flash cell. FIG 10 a shows an exemplary 2T2C ferroelectric memory cell 1600 with dual bit lines dual storage elements, which includes a first ferroelectric cell 1602 and a second ferroelectric cell 1603 Each cell, such as 1602 includes a transistor 1607 which preferably is a MOS transistor, and most preferably a CMOS transistor, and a capacitor 1605 One source drain of transistor 1607 is connected to bit line 1610 and the other is connected to one side of capacitor 1605 The other side of capacitor 1605 is connected to plate line 1617 When a word line 1616 is high and a voltage sufficiently higher than the voltage on plate line 1617 is placed on bit line 1610 the ferroelectric capacitor 1605 switches to one state, say state A When a voltage sufficiently lower than the voltage on plate line 1617 is placed on bit line 1619 when word line 1616 is high, capacitor 1605 switches to state B Here, sufficiently higher or sufficiently lower means a voltage difference equal to or greater than the ferroelectric coercive voltage, which in most ferroelectric memories is 2 5 volts to 5 volts. There are probably hundreds of different architectures of ferroelectric memories, all of which can be used as dual bit lines dual storage elements as in this invention to generate two bits and four bits as usual, and three-bits with extra states to use Some of these are the 1T 1C cell described in U S Pat No 4,893,272, the trinion cell described in U S patent Publication No 20030206430 as in FIG 10 b, and the chain cell described in U S Pat No 6,483,373, all of which are hereby incorporated by reference to the same extent as though fully disclosed herein. Since the preferred dual bit lines dual storage elements cell strategy can be used with nearly every memory cell architecture, this strategy is suitable for both volatile and non-volatile memories It is also applicable to mirror-bit two transistor styles of memory cell The two dual bit lines dual storage elements cells can be located together in one unit cell forming quad bit lines with a quad storage elements cell, e g 4T4C, 5T4C, 6T4C, 8T4C, 4T4R, 5T4R, 6T4R 8T4R etc or can be placed in two or four different locations as required by layout and circuit design considerations, e g 4 1T1C R , 4 2T1C R , etc for four different locations, or 2 2T2C R , 2 3T2C R , 2 4T2C R , etc for two different locations The idea is that the four individual storage elements can-be placed together in one cell with quad bit lines, split to two locations in two cells with dual bit lines, or split to four locations with single bit lines The specific implementation is dependent on each individual memory cell technology That is, the invention is not limited to the exact implementations o f each individual technology described herein, but is broad enough to include using the preferred pair of dual bit lines dual storage elements cells to get two bits, three bits, or four bits out of the cell pair depending on the choice of circuit designers or the bit width mode selected. In all of the above figures described, where NMOS passgates are shown in the schematics as examples, they could be PMOS, N P MOS, bipolar transistors, finFet, triple-gate Transistors, etc depending on circuit design requirements. FIG 12 illustrates an application of the dual bit lines dual storage elements in a portion of a true and complementary NAND flash memory core 500 Two of the 2BL2S cells contain four floating gate storage elements This CSL line 504 can also be shared with a mirrored block of cells as known in the art Any of the memory cores described above or below can also be varied for layout efficiency as known in the art For example, two flash cells can be folded so that there are four transi stors in one cell instead of two The same is applicable to the dual floating gate NAND flash and the split-gate floating gate NAND flash memories. FIG 13 shows an array architecture for a true and complementary NOR flash memory In array 800 each 2BL2S cell 801 includes a first floating gate transistor 802 and a second floating gate transistor 803 One source drain 810 of each transistor, such as 802 is connected to its corresponding bit line 815 and the other source drain 811 is connected to ground 812 The gates of the transistors in a row 822 are connected to the word line 816 associated with the row Two of the adjacent 2BL2S cells contain four binary storage floating gate transistors. FIG 14 shows an architecture of a NOR array, i e a virtual ground NOR flash memory core array 700 with dual floating gate transistors, such as 702 710 and 711 In this architecture, there are four transistors, 708 709 714 and 715 in a 2BL4S cell 707 Each of the vertical bit lines can be used as either a dat a bit line or virtual ground line depending on which side of the dual floating gate is being accessed For example, if 726 is a virtual ground line, 728 and 727 are bit lines based on the cell pair 708 - 709 or 714 - 715 depending on the voltages applied on 726 727 and 728 So, there are only two floating gate storage elements that would be selected each time on one of the corresponding 2BL4S cells Each of the 2BL4S cells has four floating gate storage elements It is depending on the select circuitry to decide the pairing of the four floating gate storage elements. There have been described novel electronic memory architectures utilizing the un-used states of a true and complementary dual bit lines dual storage elements memory cell Now that the various memory architectures using the cell have been described, those skilled in the electronics arts may make many variations It should be understood that the particular embodiments shown in the drawings and described within this specification ar e for purposes of example and should not be construed to limit the invention, which will be described in the claims below Further, it is evident that those skilled in the art may now make numerous uses and modifications of the specific embodiments described, without departing from the inventive concepts It is also evident that the methods recited may, in many instances, be performed in a different order, or equivalent components may be used in the memories, and or equivalent processes maybe substituted for the various processes described Consequently, the invention is to be construed as embracing each and every novel feature and novel combination of features present in and or possessed by the invention herein described. Binary options trading news in australia. Decimal Binary Options Brokers Regulated Legitimate Best Forex. Binary Options Success Stories and Testimonials Binary Options Success Story with LBinary com Anne Hartley Sydney Australia. Binary option blog The best market and brok ers analysis. Top option trading websites top binary option free welcome bonus trading. Forex Binary Options Trading Strategies at Forex Source Forexsrc com Forex Source Forex Binary Options Trading Strategies. Euro forex trading options trading platforms australia mq Net au what is one of anyoption e trade binary option trading platform uk www binary option trading traders reviewed www trading ebook kings apexinvesting. Binary options list img. sickening truths about Israel s huge binary options fraud The. New block on transfers to unauthorised binary options broker New block on transfers to unauthorised binary options brokers. second trading minimum deposit daily binary options trading minimum. Binary Options Trading Signals Ex Solution Program. second binary options canada brokers japan. Binary Options amp Forex Brokers Review. How to do day trading stock trading firms in los angeles stocks. Investment options for nri trading stock metal trading card Amazon S Best online share trading platform australia middot Binary options market news middot Free binary options trading software. Binary option tips investing Solve IT Solutions Ltd forex forecasting techniques. BuzzTrade Binary Options Trading Buzztrade Best Binary Options. Binary trading days Forex trading for beginners Binary Options trading is becoming more popular with more platforms appearing ZoomTrader is a premier option trading platform that provides investors and. Foundation of Options Trading and Investing Udemy. alpari forex broker alpari review alpari information The latest binary options trading news. Binary options websites canada. The Ultimate Binary Options Trading Guide anyoption AnyOption Introductory guide to understanding binary options trading. Trading Binary Options Strategies and Tactics Abe Cofnas Trading Binary Options Strategies and Tactics Abe Cofnas Addison Wiggin Amazon com Books. Option trading platforms australia S amazonaws com. Binary options auto traders Legitimate binary options app Best Auto Traders Reviewed binary options indicators Binary Option Net. The Truth About Binary Options Legit Trading or Scam Modest Money. New Wealth Creator magazine covers entrepreneurs news and advice and forms profiles of successful entrepreneurs to how to guides for running your business Amazon S. Best binary options broker in australia review option training Australia Recommended for binary options black list of the binary options in australia are also find honest reviews from binary options broker reviews of. TorOption Trading Binary Options With Consistent Success Businesses com au. Binary Options Australia Australian Binary Options Trading Binary Options Trading is Simple. Cfds trading news australia option grants is no buyers for a day trading strategies for nifty options australia regular Amazon S. Binary options trading news in australia. Don t be lured into binary options scams Scamwatch Scamwatch Related news Using Newsgroups To Discuss Binary Options Trading In Chile Responsible Adventure. What i s binary options signals options trading courses australia Automated binary options trading software Binary options trading australia oum binary options trading Autobinarysignals Binary Options Software Binary Options Trading Solution AutoBinarySignals is the next generation of automated Binary Options trading. binary option trend analysis trading demo account.